联电推出40nm SST嵌入式存储制程 东芝MCU可望采用

联电昨（21）日宣布，推出40nm结合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash非挥发性存储器的制程平台。

新推出的40nm SST嵌入式存储器，较量产的55nm单元尺寸减少20％以上，并使整体存储器面积缩小了20～30％。东芝电子元件暨存储产品公司已开始评估其微处理器（MCU）芯片于联电40nmSST技术平台的适用性。

东芝电子元件暨存储产品公司混合信号芯片部门副总经理松井俊也表示，预期采用联电40nmSST嵌入式存储技术，有助于提升东芝MCU产品的性能。与联电合作，透过稳定的制造供应，及配合东芝的生产需求提供灵活的产能，将能够保持强劲的业务连续性计划（BCP）。

联电表示，已有超过20个客户和产品正以联电55nmSST嵌入式存储制程进行各阶段的生产，包含了SIM卡、金融交易、汽车电子、物联网、MCU及其他应用产品。