SK海力士动作频频，研发96层3D NAND、扩增NAND产线等
2017-12-21 00:00 来源：中国闪存市场
据ET News与Newspim报道，SK海力士于20日理事会上决议于大陆设立晶圆代工厂事宜，子公司SK海力士系统IC(SK Hynix System IC)将与大陆厂商各出资一半，投资金额上看数千亿韩元，进一步扩展其代工业务。
SK海力士系统IC是今年7月从SK海力士晶圆代工事业部独立出来的100%持股子公司，此合资晶圆代工厂是SK海力士系统IC独立后第一项海外计划，预估SK海力士是为了扩展系统半导体事业，副会长朴星昱自2014年起便开始强化系统半导体事业。据了解，合资晶圆代工厂预定设立在SK海力士无锡DRAM厂园区内，目标2019年上半完工。
目前SK海力士韩国清州M8厂为8寸晶圆厂，月产10万片系统半导体，主要生产项目为影像传感器、OLED面板驱动IC等，SK海力士尚未透露大陆合资晶圆代工厂规格与生产内容。
SK海力士大举前进大陆设厂乃是SK集团「China Insider」策略一环，目标不是单纯将工厂设在大陆，而是为长期发展作布局，期盼搭上大陆半导体产业兴起，加深与大陆合作，拓展事业版图。
随着3D NAND技术的快速发展，目前三星、东芝、SK海力士、美光等以64层/72层3D NAND为主力投产，且正在准备下一代96层3D NAND新技术。据Newspim报导，SK海力士4月研发出72层3D NAND，7月投入量产，第4季开始正式供货，目前开始正式研发96层堆叠的3D NAND。
负责引领SK海力士研发96层3D NAND的朴成桂1995年进入SK海力士担任工程师。SK海力士96层堆叠3D NAND Flash研发企划以希腊神庙为名，目前SK海力士确保的72层堆叠产品企划名称为海克力斯(Hercules)。
据外媒enews 19日报道，SK海力士宣布2018年至2021年投资2.5亿美元，扩大在重庆NAND Flash后端产线，预计将于2018上半年开工建设，并于2019年底获得生产能力，以提高其重庆公司中长期业务的竞争优势。SK海力士的后端工程产线位于重庆西永综合保税区B区，作为首期投资的一部分，SK海力士投资了约3亿美元，2014年7月开始大规模投入生产。
后端处理是半导体制造的最后一步，是检查前端制造设备生产的wafer并组装这些wafer生产成品的过程。SK海力士重庆后端工程产线主要负责NAND Flash，正是因为SK海力士扩大3D NAND，利川M14与清州M15上调NAND Flash产量，才加码投资重庆后段产线配合同步扩大产能，以确保在市场上的竞争力。