三星宣布量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM

12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。  

三星第二代10nm级8Gb DDR4是全球尺寸最小DRAM，采用先进的专有电路设计技术，比第一代芯片快10%，功耗降低15%。相比第一代10nm级工艺，采用第二代工艺可使产能提高30%，扩大行业领先优势。  

三星还将加速其下一代DRAM芯片和系统开发计划，包括应用于企业服务器、移动设备、超级计算机、高性能计算系统和高速显卡的DDR5、HBM3、LPDDR5和GDDR6等产品。  

三星已与CPU制造商完成了其第二代10nm级DDR4模块的验证，下一步计划与全球IT客户紧密合作，开发更高效的下一代计算系统。  

此外，三星预计将迅速提高第二代10nm级DRAM产品产量，而且还将生产更多的主流的第一代10nm级DRAM，共同满足全球高端电子系统对DRAM产品日益增长的需求。