三星量产采用64层512Gb V-NAND的512GB eUFS

12月5日，三星宣布开始量产采用三星最新64层512Gb V-NAND芯片的首款512GB eUFS（ embedded Universal Flash Storage ）产品，满足移动设备需求，该产品由八颗64层512Gb V-NAND芯片和控制芯片封装而成，在同样封装尺寸下这款产品的容量是三星前代48层V-NAND 256GB eUFS容量的两倍。可为旗舰智能手机和平板电脑提供无与伦比的存储容量和优异性能。

三星最新512GB eUFS产品还具有强大的读写性能。其顺序读写速度分别可达860MB/s和255MB/s，512GB的嵌入式存储器传输5GB等效全高清视频剪辑到SSD仅需要6秒左右，比micro SD卡快八倍。新的eUFS产品随机读写速度分别为42K IOPS和40K IOPS，比传统microSD卡随机读写速度快约400倍。移动用户可享受无缝切换的多媒体体验，如高分辨率连拍，文件搜索以及在双工模式下下载视频。

为了最大限度地提高512GB eUFS产品的性能以及体现节能性，三星为此推出了新的专有技术。512GB eUFS产品所使用的64层512Gb V-NAND的先进电路设计以及控制器所具备新的电源管理技术可降低功耗。此外512GB eUFS产品所采用的控制器芯片还可加快从逻辑块地址到物理块地址的映射转换。

三星存储销售和市场营销执行副总裁Jaesoo Han表示：“三星512GB eUFS产品可以克服使用micro SD可能出现的系统性能局限性，为新一代旗舰智能手机提供最佳嵌入式存储解决方案。”

值得注意的是，三星计划稳步提升64层512Gb V-NAND芯片产量，扩大256Gb V-NAND生产，用以应对市场对先进的嵌入式移动存储需求的增加，包括SSD和高密度高性能移动存储卡。