IHS预测明年NAND将供过于求

韩媒BusinessKorea 5日报导，IHS Markit报告预估，明年全球NAND Flash供给将提高39.6%至2,441亿GB。其中三星电子将带头增产，预料供给将增39%至879亿GB。与此同时，明年全球NAND需求提高36.7%至2,424亿GB，供给超出需求17亿GB，供给过剩比率约为0.7%。

尽管NAND转跌，DRAM价格仍旺，业界人士说，三星也许会减产NAND、增产DRAM。美系外资附和此一看法，推测三星平泽厂的二楼产线，可能从生产NAND改为生产DRAM。若真是如此，该外资预估，明年NAND供给将短缺0.7%，供不应求情况到明年第三、四季更为严重，将分别短缺2%、3.2%，吃紧情况为去年第四季以来之最。

部分观察家则说，另一个可能影响产出的因素是制程转换的技术问题，也许会让增产幅度小于预期。技术难度不断提高，过去六、七年来，业者投资规模大致维持不变，但是产出成长幅度却减半。随着三星和SK 海力士转进3D NAND，结果或许好坏参半，压缩成长增幅。

在此之前，另一韩媒也说，三星平泽厂二楼主要用于生产DRAM，但是警告此举也许会让DRAM供过于求。

韩媒etnews 4日报导，三星平泽工厂是一栋两层建筑，一楼和二楼每月wafer产能分别为10万片和20万片，二楼的投资规模将大于一楼。三星平泽厂一楼之所以比二楼的生产能力小，是因为它的一些空间被用于办公室和自助餐厅。二楼分为西区和东区，各自保证每个月10万片wafer产能。二楼第一阶段投资是西区，二期投资为东区。三星预计西区将按照每月7万片3D NAND和3万片DRAM的产能比例来配置生产设备，东区则按照每月10万片DRAM产能来配置生产设备。

报导称，要是三星加快投资脚步，并决定把二楼多用于生产DRAM，DRAM可能供过于求，价格由涨转跌。业界人士说，存储器价格取决于三星投资速度；不仅如此，三星的西安厂可能也会投资增产(应为NAND Flash)，料于2018年底或2019年启动。