TrendForce：NAND Flash供不应求，第三季品牌商营收大幅季成长19.6%

集邦咨询（DRAMeXchange）最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。

DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收与营业利益率也可望再创今年新高。

由于第三季中国智能手机品牌对于高容量eMMC／UFS的需求强劲，让三星成为最大赢家。三星在高容量的eMMC／UFS与eMCP市占率领先同业，企业级SSD产品更借出色的性价比出货强劲。第三季三星NAND Flash位元出货量季成长约20%，营收季成长约20%。

展望第四季，智能手机的需求将带动高容量eMMC／UFS与eMCP的需求攀升至年度高点，再加上三星在用户级、企业级SSD的市占率增加，预估第四季三星的营运表现将较第三季更出色。

同样受惠中国智能手机的eMMC／eMCP需求，及其他品牌新机上市的备货需求带动，使得第三季SK海力士NAND Flash位元出货量季增12%，平均销售单价更季成长7%，营收亦大幅季增20.3%，至10.61亿美元。

SK海力士3D-NAND Flash的产能在今年底前将达每月2～3万片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可开始放量出货，第四代的3D-NAND Flash有机会在明年下半开始少量生产。

同样受惠于整体NAND Flash市况好转，东芝电子在其会计年度2016年第二季（7～9月）位元出货量季增15%，平均销售单价跌幅减缓，整体营收季增约17%，营业利益率也呈现季成长，营运表现渐入佳境。

产能规划部分，东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3D-NAND Flash，第四季产能达每月４万片，待2017年64层堆栈的3D-NAND Flash顺利量产后，产能提升速度将更快，而其第六半导体厂房新建计划，将从明年二月开始动工。

从西数2017会计年度第一季相关NAND Flash的表现来看，其64层堆栈的3D-NAND Flash是投资焦点。目前64层堆栈的3D-NAND Flash产品正处OEM客户测试阶段，预计今年12月起率先使用在卡片及随身碟等产品上，而其48层堆栈的产品已在eMMC／eMCP等行动式NAND及外插式产品在线量产。

现阶段15纳米 2D-NAND Flash仍为西数主流制程，良率及成本效益都已达最佳化，因此对利润提升有很大帮助，2017年西数的NAND Flash位元产出成长率预期将达45%。

美光2016会计年度第四季（6～8月）位元出货量季成长13%，平均销售单价下滑1%，非挥发性内存（Non-Volatile）营收季成长约10%，至10亿美元，在产品营收比重上，Component base略微下降至50%、行动式NAND产品微幅上升至18%、SSD则占13%，车用及其他类别占约19%。

美光3D-NAND Flash架构的行动式NAND在客户端得到不错评价外，用户级SSD也已开始量产出货，而企业级SSD位元出货量更大幅季成长逾45%。此外，等到美光3D-NAND Flash（TLC）版本成为主流后，将可改善美光SSD的成本架构。

第三季英特尔NAND Flash位元出货量大幅季增25%以上，营收也季成长17%，至6.49亿美元，结束连续三个季度的衰退。

从产品规划来看，虽然英特尔16纳米与20纳米依旧为产品组合大宗，但自第三季起其3D-NAND Flash的企业级固态硬盘已顺利出货放量，性价比已较上个世代产品更具竞争力。在产能规划上，英特尔大连厂第四季产能约为每月1万片，至明年开始将逐季提升。