三星第二代10nm FinFET工艺进入量产

三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片（SOC）的产品。计划2018年初推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。

相比第一代10nm工艺10LPE（Low Power Early），10LPP（Low Power Plus）工艺可将性能提高10%，功耗降低15%，同时，还可以大大减少从开发到批量生产的周转时间，提高初始制造产量。

三星电子代工业务副总裁Ryan Lee表示：“随着10LPE到10LPP工艺的提升，性能和产能也得以提升，未来三星计划将10nm技术提升到8LPP，为客户提供更大的竞争优势。”

三星还宣布其位于韩国华城的最新的生产线S3计划提升工艺技术，包括10nm以下产品的研发生产。目前三星代工业务有三家工厂，其中S1位于京畿道器兴， S2在美国奥斯汀，三星的7nm FinFET与EUV工艺将在S3大规模量产。