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紫光国芯:高性能第四代DRAM芯片2018年面市

2017-11-22 00:00 来源:中国证券网

近日,紫光国芯在接受机构调研时表示,前三季度虽然增长速度较快,但由于毛利率较低,拉低了整体利润。此外,公司加大了研发投入,研发费用同比增长较快。同时所得税和汇兑损益同比也有较大增长,对公司本期利润产生了不利影响。

四季度以来,去年业绩下滑较大的智能芯片业务逐步好转,呈现良好的发展势头,对公司全年业绩会有有利的贡献。

另外,西安紫光国芯拥有市场稀缺的DRAM设计团队,正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发,第四代产品容量更大、集成度更高、读写速度更快,预计明年开始进入市场。

展讯的产品与本公司的产品的应用领域和客户都不同,不存在竞争关系,另外也没有显著的协同关系,目前没有注入本公司的计划。

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