传长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片

据DIGITIMES报道称，近期紫光集团旗下长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片，正在加快步伐，缩短与国际大厂三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)∕英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)∕西部数据(WD)等之间的技术差距。

中国近几年不断加大对半导体产业的投资，尤其是在存储器领域芯片制造上的投入。由于存储器技术研发难度高，专利又集中在欧美大厂手上，业界对于大陆发展存储器计划多抱持保守态度，然近期长江存储在3D NAND技术研发进度超乎市场预期。

长江存储是专注于3D NAND技术的代表队，更是紫光集团投入半导体产业的重量级代表作。业内半导体人士透露，长江存储11月将32层3D NAND芯片导入SSD内，进行终端产品测试成功，代表大陆3D NAND研发迈入新里程碑。长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本，然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测，象征研发获得重大突破。

虽然最关键的研发一环已有小成，但后期量产的良率也是成败的关键，未来要进入量产，势必要达到一定的良率，确保每片3D NAND的可用晶圆数量，成本结构才会具有市场竞争力。

在产能规划方面，业者透露，长江存储已预定5000片产能的机台设备，预计2018年第2季投入试产，进度快慢要看良率而定，一旦长江存储3D NAND大量投片产出，可望打破全球3D NAND门票都掌握在国际大厂的局面。

长江存储投入3D NAND技术研发还不到两年，过去大陆NAND Flash技术研发主力是武汉新芯，其透过飞索(Spansion)技术授权，生产NOR Flash和SLC型NAND，长江存储于2016年7月成立之后，并购武汉新芯100%股权，成为大陆存储器研发及生产中心。

根据长江存储先前揭露的计划，32层3D NAND主要是技术打底的动作，大陆真正视为主流的是64层3D NAND技术，这也是目前三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash大厂主流的技术。若大陆成功发展64层3D NAND技术，且全面大量投产，将有机会与三星、东芝、SK海力士等拉近差距，同时也标志者中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。

中国发展半导体产业，除了加强3D NAND技术研发，对DRAM存储器也非常的感兴趣。就在上个月，兆易创新宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，将开展19nm制程工艺存储器 (含DRAM等)的研发项目，目标是在2018年12月31日前研发成功。合肥长鑫在2017年上半年称将投资72亿美元建12吋DRAM厂，这些项目都是着手DRAM研发或生产。

尽管目前三星、东芝、SK海力士都已进入64层和72层3D NAND技术，长江存储现在才成功研发32层技术，但大陆的投入力不可小觑，未来与国际大厂一较高下也不无可能。