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传三星考虑在平泽厂增设DRAM产线

2017-10-30 00:00 来源:DIGITIMES

传三星电子(Samsung Electronics)正在考虑于平泽半导体厂二楼,移入DRAM生产设备。三星为全球DRAM龙头,如果未来进一步大动作扩产,排名紧接在后的SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)等竞争者恐也会加入扩产的行列,对于DRAM后续发展将造成很大的影响。

韩媒朝鲜日报引述业界消息指出,三星新完工的平泽半导体厂一楼,目前已开始生产3D NAND Flash,至于工厂二楼,传三星正考虑移入DRAM生产设备,展开DRAM扩产,如以晶圆投片量为基准,平均月产能可能高达10万~12万片左右。

稍早2017年5月,三星决定在华城17产线,进行高达3兆韩元(约合27亿美元)的DRAM产线增设投资,这项计划目前正在进行中。三星计划利用华城17产线剩余空间,移入DRAM生产设备进行扩产,平均月产能约3万片左右。

韩国业界人士分析,三星考虑扩产DRAM的背景,在于不只2017年,甚至到了2018年,将很大程度的影响DRAM供需平衡。日前SK海力士相关人士于第3季财报发表会中指出,由于兴建资料中心及大陆智能型手机业者崛起,DRAM需求持续升温,但是DRAM先进制程日益困难、良率偏低,造成生产赶不上需求。

过去一段时间以来,三星对扩产DRAM这件事,态度其实相当保守。韩国业界人士进一步指出,如果未来三星真的于平泽厂大举扩产DRAM,那么SK海力士、美光等竞争对手,最后也只能跟著三星脚步投入扩产。

目前DRAM市场为三星、SK海力士及美光少数业者寡占,过去几年相较于3D NAND Flash不停扩产,上述三家业者对DRAM投资扩产,相对显得小心谨慎。三星DRAM全球市占率接近50%,如果未来真的积极投入DRAM扩产,全球市占率势将突破50%,可望进一步巩固DRAM市场龙头地位。然而,紧追三星之后的SK海力士、美光,到时恐怕也不会坐以待毙,一定也会以扩产行动,守护自己的市场地位。

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