兆易创新拟投资39.9亿元研发研发1Xnm级DRAM 技术

9月23日，北京兆易创新科技股份有限公司（以下简称“兆易创新”）在股票交易异常波动公告中表示，拟定增43亿元，筹划DRAM芯片自研及产业化项目。如今，此次非公开发行A股相关事项已经获得兆易创新第三届董事会第八次会议审议通过，但尚需公司股东大会审议批准及中国证监会核准。

10月1日，兆易创新发布非公开发行A股股票预案公告。公告指出，本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者，发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%，即不超过64,224,315股（含本数）。

预案显示，兆易创新本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额将用于DRAM芯片研发及产业化项目及补充流动资金。

其中，DRAM芯片研发及产业化项目计划投资39.92亿元，拟投入募集资金33.24亿元。兆易创新拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

资料显示，兆易创新自2005年设立并进入闪存芯片设计行业，通过技术开拓、业务并购，目前已成为中国大陆最为领先的芯片设计企业之一，主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。

兆易创新指出，通过本次非公开发行，公司将以募集资金投入DRAM芯片的研发及产业化，积极推进产业整合，加快业务发展，拓展战略布局。本次非公开发行是公司打造国内领先存储器厂商、全球领先芯片设计公司的关键战略，发行完成后，公司在存储器领域将成为覆盖Flash、DRAM的领军企业。

上述项目的实施能够丰富公司的产品结构，深入公司在存储器行业的布局，成为国内高端通用存储器领域领军企业，并能够在公司业务不断爬升、日益发展壮大的过程中补充营运资金。

DRAM作为集成电路领域通用芯片，产品标准化，非常适宜于迅速扩张，本次非公开发行完成及募集资金投资项目实施完毕后，公司在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富，在NOR Flash、NAND Flash基础上切入DRAM存储芯片。项目完成后，兆易创新将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力。