TrendForce：中国品牌智能手机出货加温，第二季行动式内存产值季增长17.2%

集邦咨询（DRAMeXchange）调查显示，第二季华为、OPPO与vivo领军，带动中国品牌智能手机出货持续增温，加上行动式内存供给位元的增加，使得第二季全球行动式内存总产值季增长17.2%，三大DRAM厂同步受惠。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，时序进入第三季出货旺季，由于新一代iPhone与三星旗舰机Note 7于此时备货生产，且中国品牌手机出货未见停歇，让行动式内存的需求同步大增。DRAMeXchange预估第三季行动式内存价格季跌幅仅3%，若厂商销售规划得宜，应能改善全球DRAM产业的获利结构。

第二季行动式内存营收市场份额中，三大DRAM厂占比来到98%，排名第四的南亚科仅有1.1%。此外，第二季行动式内存营收占总DRAM营收的43.2%，较第一季更加攀升。DRAMeXchange预估第三季由于中国智能手机维持强劲出货力道，将带动行动式内存营收占总DRAM营收持续扩大。

第二季三星无疑仍是行动式内存的领头羊。由于20纳米良率稳定、产品组成多元、且拥有最高的LPDDR4市场份额，使三星不论在市场份额或获利表现都持续领先。吴雅婷指出，2015年起三星就持续将产能转向行动式内存领域，并大幅减低标准型内存的出货比重，因此三星DRAM整体获利表现一直远高过竞争厂商。

SK海力士今年重点在制程转进至21纳米，有助于LPDDR4的普及。虽然第二季21纳米行动式内存产品仍未大幅量产，但在市场需求增加趋势下，DRAMeXchange预估第三季21纳米的行动式内存出货数量将增加，带动SK海力士行动式内存营收出现较大幅度成长。

美光集团也正处于转进20纳米的关键时刻。吴雅婷表示，随着新一代iPhone进入备货期，无论是美光广岛厂或华亚科，LPDDR4投片都开始大幅提升，有助于未来美光集团在行动式内存的营收比重扩大，并改善目前集团在DRAM产品的整体获利能力。

南亚科现在行动式内存多以LPDDR2为主，由于未能扩大量产且LPDDR2价格于第二季走跌，让南亚科第二季营收市场份额下滑1.1%，但随着新厂产能于明年开出，南亚科将试产20纳米 LPDDR3产品，成本结构可望大幅改善。

第二季华邦电子的市场份额微幅下跌至0.8%，营收则因客制化产品与ASIC产品耕耘有成，季成长1.7%。华邦新制程38纳米有机会于明年导入量产，将优先利用在利基型内存与行动式内存上。