美光扩大在新加坡的研发业务,致力于制造3D NAND闪存
2018-08-01 17:40 来源:中国闪存网
半导体行业巨头美光在新加坡的新工厂破土动工,该工厂将致力于制造3D NAND Flash。
该公司并未透露具体产能,只表示其在该项目上的投资将达到总计数十亿美元。 此外,其还披露将扩大在新加坡的研发业务。
该新工厂是美光Fab 10扩建的第三期工程,占地165,000平方米,预计会在2019年中完工,在2019年第四季度投产。
工厂的量产还需要几个季度的时间,因此预计大量的3D NAND存储器将在2020年底之前产出。
美光在新加坡有两座300mm 3D NAND工厂,分别为Fab 10N和Fab 10X。 这些工厂当前生产美光的NAND Flash的大部分份额。
美光方面没有具体说明其新工厂将制造哪种3D NAND,但考虑到时间的限制,美光应该是生产现有64层堆叠闪存的下一代。
美光公司首席执行官Sanjay Mehrotra表示,除了建设新的工厂外,该公司还将扩大在新加坡的研发业务。 其中,美光科技将聘请材料科学家,电气工程师,数据科学家等。
该公司没有透露Fab 10新阶段的产能,但表示新工厂将需要雇用额外的人员在工厂和供应链上工作。
当前,美光在新加坡的员工人数为7500人,将再雇用1000人用于新工厂和研发业务的扩张。
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