东芝PK三星 正式推出96层3D NAND旗舰产品XG6
2018-07-24 10:57 来源:中国闪存网
距离三星宣布率先量产96层V-NAND闪存颗粒仅仅不过十余天,六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息:他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。
东芝作为NAND Flash的缔造者,在技术更新上始终位于行业前列——XG6的前辈XG5也是世界首款采用64层3D NAND闪存的固态硬盘。
XG6供应于OEM渠道,支持NVMe 1.3a协议,共有256GB、512GB和1TB三种容量规格。在性能方面,XG6也算是追上了当前的高端主流参数:连续读写分别为3180MB/s和2960MB/s,随机读写分别为355K IOPS和365K IOPS。这一性能参数与三星970 PRO和西数Black在伯仲之间。
XG6保持了东芝产品一贯的低功耗优势,闲置功耗为3mW,写入功耗也仅有4.7W。这一特性会使其更受笔记本厂商的青睐,当前XG已经交付给OEM厂商式样,或许很快就能与我们见面。
三星与东芝已经正式推出了自家的96层3D NAND Flash产品,美光、SK海力士、闪迪,乃至于英特尔都会在极短的时间内跟进。技术的迭代将会给疲软的NAND Flash市场以极佳的提振效果,但尽管新一轮的竞争在所难免,对于消费者来说能够否享受到更为低廉价格的产品犹未可知。
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