专访|市场竞争激烈，得一微坚持自主创新，2018下半年放大招！

在经过2年时间缺货和涨价后，2018年3D NAND产能倾巢而出，同时国际原厂、国内企业等建厂动作频频，且下一代96层3D NAND技术竞争加剧。然而，不仅仅是上游原厂竞争激烈，主控厂之间的竞争也是硝烟四起，在NAND Flash市场供需博弈下，得一微电子将如何应对原厂技术的变化，怎么看待后市发展，以及遇到哪些机遇和挑战？

注：得一微电子（YEESTOR）是国内专注存储控制芯片设计的主控厂，由硅格半导体与立而鼎科技于2018年4月合并成立。

问：2018年3D NAND快速普及，得一微电子如何应对原厂技术变化，以及怎样看待下一代QLC和96层技术发展？

以前VS现在，技术的进步

得一微电子市场总监罗挺表示，2018年原厂三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等3D NAND产出比重都已超过50%，并且不同程度的普及到SSD、UFS、eMMC、Micro SD、U盘等闪存产品上。得一微电子紧跟原厂技术的发展，坚持自主研发且不断提升技术实力，对于2D NAND，BCH纠错码长已从24Bit提高到72Bit，对于3D NAND的发展，ECC纠错技术向LDPC升级帮助客户由2D向3D过渡，且纠错码长可以达到1KB、2KB，且正在开发4KB，不断提高ECC纠错技术。

受访人 | 得一微电子市场总监，罗挺

对于3D NAND技术的发展，罗挺表示，目前原厂主力量产64层/72层 3D NAND，英特尔还推出了QLC架构的64层3D NAND，下一代则是96层3D NAND，2020年是128层，2022年将升级到144层。但随着堆叠层数的增加，以及4bit架构QLC的应用，使得3D NAND稳定性、可靠性等受到影响，得一微电子通过强化控制芯片技术加强3D NAND性能，保证质量和品质。同时，得一微电子已支持英特尔64层QLC NAND（N18A），并已经完成了美光96层3D NAND（B27A）的调试。由于原厂96层3D NAND还未大量供货，预估2019年才会有产品面世。

问：2018年原厂扩大3D NAND产出，导致市场价格持续下滑，得一微电子怎么看后市发展，市场有哪些机会点？

对产业发展的前瞻性和预见性

2018上半年NAND Flash市场供应相较于前两年缺货的情况明显改善，甚至有些供应过剩。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示，2018上半年NAND Flash综合价格指数累计下滑高达35%，已回到2016年涨价时的价位。此外，三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等均加大投资规模新建工厂，给后续市场的发展增加了变数。

对于市场行情的变化以及未来行情的发展，得一微电子市场总监罗挺认为，原厂目前64层3D NAND良率已从过去的50%提高到80%以上，这导致市场NAND Flash供应大幅增加，而市场需求对NAND Flash的消耗量每年大约增长40%，从而让市场供需关系从缺货向供需平衡，部分市场略显过剩的行情转变，这也是导致价格下滑的主因，预计未来NAND Flash仍将持续缓跌的趋势。

受访人 | 得一微电子市场总监，罗挺

不过，正是因为2018上半年价格下滑，SSD价格已回到涨价前并跌破了历史低点，SSD价格降至甜蜜点有助于2018下半年需求的增加，罗挺预计2018年全球SSD市场出货量将有望达到1.8亿颗-2亿颗，相较于2017年增长20%以上。

另一方面，全球手机市场虽然出货增量有限，但旗舰机容量基本从64GB起跳，甚至出现TB级容量的手机，将大量消耗NAND Flash产能，同时大容量需求会推动UFS在千元机上的应用增加，抢占更多eMMC的市场份额，得一微电子看到了SSD和手机市场的机会。

问：在SSD市场和嵌入式市场，得一微电子有哪些产品规划？

开拓市场，产品技术与发展

2018年不仅仅原厂在QLC、96层3D NAND新技术，投资扩产等方面竞争激烈，SSD主控厂之间竞争也是硝烟四起。除了Marvell、慧荣、群联等主控厂跟进QLC和96层3D NAND技术外，得一微电子将在Q4推出自主研发的新一代支持96层和64层QLC的PCIe SSD和UFS2.1控制芯片，以及寻找在工业级、军用、汽车等市场上的应用机会，开拓市场。

得一微电子丰富且多元化的产品线

据得一微电子市场总监罗挺介绍，得一微电子与Flash原厂保持紧密的联系，产品性能、品质、可靠性是首要考量基准，定位于主流的消费类市场。目前产品线包括嵌入式存储eMMC 5.X控制芯片YS8293EN/YS8293，SATA SSD控制芯片YS9083XT/YS9081XT和PCIe SSD控制芯片YS9201，通用存储USB3.1控制芯片YS7081/YS5081和USB2.0控制芯片YS1583/YS1581，SD控制芯片，以及安全存储控制芯片等。

得一微电子最新控制芯片产品参数列表

更值得注意的是，得一微电子将在2018下半年推出新一代SSD、UFS、eMMC、SD控制芯片， 其中PCIe SSD控制芯片YS9203采用28nm工艺，支持PCIe Gen3X4接口，相较于上一代YS9201支持PCIe Gen3x2，具有更高的传输速度，UFS控制芯片YS8803则支持UFS2.1规范协议，采用LDPC纠错技术，两款芯片都将在Q4量产。另外，eMMC 5.X控制芯片YS8295和SD控制芯片YS6295/YS6285将都在Q3量产。

得一微电子大波控制芯片新品来袭，不仅全面支持各家原厂64层TLC，还支持英特尔64层QLC（N18A），而且PCIe SSD控制芯片YS9203已完成了美光96层B27A的调试，SD控制芯片更是全球首个支持LDPC纠错技术，不仅体现了自主研发的能力，更是引领应用发展的趋势。

问：中国大力发展存储产业，得一微电子如何满足本土市场需求？

中国企业，自主研发的决心和信心

中国是全世界唯一拥有联合国产业分类中全部工业门类的国家，2018年中美贸易战持续升温，中兴事件等影响，凸显出中国在尖端制造方面关键技术的匮乏。得一微电子市场总监罗挺认为，中美贸易战是短暂的，而作为一个中国企业，从中兴事件中受到启发，深知企业供应链安全的重要性，得一微电子坚持技术自主创新，可以在供货安全上给客户提供另一个选择的机会。 

罗挺还表示，得一微电子也做好了长期技术竞争的准备。2018年4月硅格半导体主导与立而鼎科技合并成立得一微电子，并获得A轮3亿人民币融资。两家都属于存储主控企业，拥有相同的eMMC产品线，加上硅格半导体的USB和SD产品线，得一微电子产品线将更加多元化，可实现客户一站式服务和多方位定制化服务。同时，得一微电子的团队达到170人，服务客户也从主要的大陆市场扩展至台湾地区，以及美国、韩国、新加坡、印度等。

另外，得一微电子所获得的3亿人民币融资也都将重点用在PCIe SSD控制芯片的研发上，未来团队将扩大至200-300人。得一微电子已实现了从50nm过渡到40nm，在2018下半年即将发布的PCIe SSD控制芯片YS9203采用的是28nm，这也是Marvell、慧荣、群联等主流的工艺技术，未来规划16nm工艺的PCIe 4.0的SSD产品线，且保持持续投入的状态。