NAND闪存和DRAM市况不同调，内存事业可望在第2季维持强势表现

内存指标大厂三星和美光释出今年内存市况分析，储存型闪存（NAND Flash）和DRAM市况不同调 。

三星和美光同指本季NAND价格持续下探，但DRAM价格在服务器及移动设备、车用等应用多元下，价格将持稳到年底。

全球内存龙头三星半导体事业部日前在提出第2季展望时指出，内存事业可望在第2季维持强势表现，不过，本季NAND报价将呈现疲软，但服务器、移动DRAM需求将会续强，且主流高容量DRAM订单也将会走高。

三星在全球NAND Flash和DRAM市占率都居领先地位，其中DRAM市占率达49%，具有价格主导地位，三星看淡NAND Flash价格走势，也反应NAND Flash随各家3D NAND转换制程良率提升、产量提升，价格也陷入向下修正的压力；DRAM则因供需仍未失衡，且应用多元化，本季价格可望持续维持上涨。

内存大厂美光科技全球制造资深副总裁艾伦（Wayne Allan）则认为，受惠企业级线上交易、自驾车、云端大数据、网通、移动设备、物联网等六大领域对内存需求强劲，但供给端增幅有限，今年内存市况仍会健康稳健，其中DRAM价格可持稳到年底。

美光预估今年全球内存，DRAM年产量约增20%，NAND Flash产能约增45%。

艾伦强调，美光今年在NAND Flash产能年增率将超过45%，高于产业平均数，凸显美光也是持续拉升NAND Flash产出。

闪存控制芯片大厂慧荣总经理苟嘉章则分析，今年上半年闪存供过于求压力大，本季跌势将扩大，不过随主要品牌手机厂下半年推出新机，增加闪存搭载量，第3季价格可望止跌。

但他强调， 国际大厂如三星、SK海力士、东芝及威腾（WD）、英特尔及美光等全力扩充产能，今年底96层或QLC规格3D NAND产能将大量开出，上半年价格压力较大，明年加上中国大陆紫光集团旗下长的长江存储产能开出，供给量更大，恐再加重明年NAND Flash跌势。