全球存储器市场再爆震撼弹 扩产杀价竞争风暴再起

日前，三星、SK海力士、东芝、美光、紫光等主要内存厂都同步扩增NAND Flash，为全球存储器市场再次投下一颗震撼弹。

国际芯片厂纷纷同步扩充产能

据悉，三星电子公司计划扩大在西安的NAND闪存芯片生产线。新厂完成后，西安NAND Flash月产能，也将由当前的12万片增至20万片，增幅67%，以满足全球对其产品不断增长的需求。计划在未来三年内为该扩建项目投资约70亿美元（约合人民币442亿元）。

无独有偶，SK海力士，以及美光等主要内存芯片厂也都同步扩充产能，加上中国大基金与紫光集团旗下长江存储同步加码投入内存的资金和人力，据悉，明年内存市场将再陷激烈杀价竞争风暴，NAND Flash供过于求的情况恐更甚于DRAM。

据了解，紫光存储日前宣布将推出覆盖从移动终端存储、PC笔记本再到数据中心云平台企业级存储的全系列闪存产品线，标志着我国国产闪存产品首次实现了从端到云的完整覆盖。

低成本、低功耗、体积小等优点

NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅（FloaTIng Gate）晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。

当前，NAND是闪存中最主要的产品，具备非易失，高密度，低成本的优势。主要用于大容量存储领域，例如智能手机和平板的eMMC/eMCP、企业级的SSD、移动存储、U盘等。

NAND Flash主流两大应用领域为移动应用（智能手机、平板电脑）和SSD。在移动应用领域，为了简化储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，下游客户只需要采购eMMC芯片，不需要处理其它繁琐的NAND Flash兼容性和管理问题。

国产替代需求空间大

到2018年，作为Android阵营手机风向标的三星Galaxy机皇S9/S9+首次搭载256GB容量，预计华为、OPPO、VIVO、小米等旗舰机都将纷纷跟风效仿，届时高端旗舰机将以64GB、128GB、256GB为主流配置，且以128GB为主打容量，将对NAND Flash需求不断增加，同时也可弥补智能型手机出货迟缓对NAND Flash的影响。

然而，在存储产品领域，我国是全球最大的数据产生地和消费地，存储容量和性能的需求增长迅速，并拥有全球半数以上的大客户等。但从2016年以来，中国存储产品的大客户均不同程度地受到存储产品缺货、价格高企的严重影响。紫光存储全系列高性能闪存产品的推出正好满足了国内众多大客户的需求。

因此国内对闪存内存的需求强烈，这也给了我国企业介入存储芯片市场的机遇。其中有紫光主导的武汉存储芯片基地就已经成功推出了3D NAND闪存，整个项目预计投资240亿美元。预计国产存储芯片将在2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存企业。