DRAM市场大战： 英特尔找新欢 中国乘势崛起

日前，调研机构IC Insights警告，DRAM价格飞涨，中国后起之秀有望借机而入缓解一直以来被压抑的需求。

纵观历史态势，DRAM市场是主要IC产品细分市场波动最大的部分。在过去2年，2016年DRAM市场就下跌了8%，到2017年又增长了77%，这就是一个很好的例子。

过去30多年来，DRAM的价格持续下跌，仅1978年到2012年的34年间，DRAM每比特的平均价格就以33%的年平均速度下降。然而，从2012年到2017年，DRAM每比特平均价格年跌幅缩小至3%。到了2017年，DRAM价格逆转之前下跌态势，反涨47%，创1978年以来最大增幅。

从DRAM位元数量增长看来，2016年DRAM位元数量增长达40%，2017年为20%。如图1所示，从2017年5月到2018年1月的9个月里，DRAM位元数量年平均增长率仅为13%。2018年，DRAM位元数量成长幅度将维持在20%。

图1还列出了从2017年1月到2018年1月期间每个月DRAM每千兆价格。如图所示，DRAM每千兆位价格一直在急剧上涨， 2018年1月与2017年1月相比，价格上涨了47%。毫无疑问，电子系统制造商当前正在争先恐后地调整和适应内存价格的飞涨。

DRAM通常被认为是一种类似石油的商品。和大多数商品一样，产品需求具有弹性，这也就意味着价格提高会抑制需求，价格降低则会增加和创造新用途。例如，当油价处于低位时，许多消费者购买大型suv，因为对每加仑汽油的使用效率几乎不用担忧。然而，当油价上涨时，消费者通常会选择较小的或替代能源(如混合动力或全电动) 汽车。

图一

如图1所示，从2017年1月到2018年1月期间，DRAM的每位元价格与位元数量年增幅之间的相关系数为-0.88。因此，虽然系统制造商并没有因为价格上涨而在当前出货的电子设备中减少DRAM的使用量，但有很多关于一些智能手机生产商在下一代机型上减少DRAM的传言，将智能手机内置DRAM从5GB降至4GB。

IC Insights相信，在2018年，DRAM的主要供应商应该小心行事，如果让股东更开心，会进一步疏离DRAM客户群。如果初创的中国DRAM生产商能够在未来几年内推出一款具有竞争力的产品，DRAM的用户可能会涌向这些新的供应商，试图摆脱当前迫在眉睫的价格上涨压力。当前的DRAM大厂可能会遭到惨重报复。

紫光与英特尔合作，能减少三年内存技术差距？

韩国媒体businesskorea日前披露，清华紫光正与英特尔合作开发3D NAND闪存芯片。据悉，根据双方的合约，英特尔决定首先提供用于NAND闪存芯片的晶圆，然后再提供64层3D NAND闪存芯片。在英特尔的支持下，清华紫光的闪存产品不仅能够提高在销售方面的竞争力，还能提高其在市场上的品牌知名度。

这种闪存技术来自英特尔、美光合资的IMFlash，不过到明年初，双方将结束合作，各自独立优化自己的产品和服务，同时英特尔会把所持股份几乎全部卖给美光，从中脱身。如果完全独立势必会大大影响产能和供应量，而当前闪存市场需求又持续高位，因此英特尔迫切需要一个新的伙伴。

而紫光是中国半导体行业发展中大力扶持的关键对象。未来五年，中国将在半导体行业投入1万亿元人民币，目标是到2025年将半导体自给率提高到70％，紫光自然扮演着极为关键的角色。当前，紫光已经投资300亿美元，在南京兴建自己的内存、闪存工厂，还与建兴联合在苏州兴建SSD开发制造工厂。

英特尔在NAND芯片市场的份额排名第六，位于SK Hynix之后。英特尔去年通过重拾内存芯片业务，在20年前放弃该业务后再次进入市场，但仍具有很高的技术水平。该公司在2012年与NAND闪存市场份额排名第四的美光科技公司合作，并从去年开始生产64层3D NAND闪存芯片。英特尔当前正在开发96层3D NAND芯片。另外，IMFlash还在开发新一代96层堆叠3D闪存，并辅以10nm级别制造工艺，容量密度将比现在的64层提高一倍，未来也有望落户紫光。

一些市场观察人士表示，从今年年底开始生产32层3D NAND芯片的中国存储器芯片生产商与韩国同行之间的技术差距为三年。这是因为三星电子公司已于2014年8月首次在全球范围内批量生产32层3D NAND芯片，2015年8月份为48层3D芯片，2016年12月为64层芯片。更高层次和位元堆积的3D NAND芯片，就需要更高的技术水平。因此，单靠时间和精力并不能缩小技术差距。

但是，通过与英特尔的合作，中国有望迅速缩小技术差距，威胁包括三星电子在内的韩国内存芯片制造商。中国将能够提前发布高性能3D NAND产品，预计在前两至三年先推出低端产品。

市场研究公司Market Realist表示：“中国与英特尔的合作关系可能会导致供应过剩并危害整个NAND闪存产业生态系统。”韩国半导体行业的一位官员表示：“三星电子和SK海力士正在关注因为竞争对手的NAND扩张，市场状况可能会变得更糟。这可能会增加全球投资机构的争论，即NAND芯片的价格将大跌。“

除英特尔之外，中国还在寻求与日本东芝公司建立技术合作关系。东芝需要获得中国反垄断监管机构的批准，才能将其存储芯片单元出售给由贝恩资本领导的财团，其中包括SK海力士。所以，中国正在利用这一点与东芝做出一种置换交易。业内人士认为，这种条件可能是中国可能要求东芝提供技术合作或产品供应。2016年内存价格飙涨以来，中国智能手机企业所需的半导体存储器始终无法得到充足的供应，对此这些企业一直深表不满。

题外：

两年来存储行业的强势价格走势，已经极大地影响了国内智能手机产业乃至整个IC 芯片行业的发展。现在不论是资本方、产业链还是终端的消费者，对内存相关的消息都异常地敏感和警惕。最近西安紫光国芯的DDR4 内存芯片就引起了大家极大的关注。

国产半导体存储产业的进步，意味着以规模效应为特征、背后有着强力国家支持的力量进入了这个产业，对内存产业的整体发展无疑是有相当促进作用的，毕竟现在这个行当已经几乎进入了寡头竞争态势中。从普世科技进步的动力出发，许多人，许多中国人，都对国产内存的进步迭代乐见其成。另一方的观点则认为，国产内存在高频特性、兼容性等方面都可能面临相当的困难，是否能够吸引到足够多的客户，盈利空间和定价竞争力都需要经受考验，未必能对市场产生足够大的影响。

无论是对早前传出乌龙消息的失望，还是被证实DDR4 颗粒经过CPU-Z验证的欣喜，乃至淘宝店铺上渠道方面的争论，读者的心都跟着接踵而来的消息不断起伏。对于以紫光为代表的国产内存，甚至包括整个国内半导体产业，互联网上的评价并不统一，伴随着不断推翻的新闻的，是业内人士乐观与悲观激烈对立交替的情绪。