三星砸1750亿元建新工厂DRAM内存颗粒 计划在2019年第二季度末完工

三星电子确认，正在韩国京畿道平泽市兴建一座新的半导体工厂，可根据市场需求生产内存、闪存等各种存储芯片。

三星当前在平泽市已有一座大型工厂，2017年年中开始量产64层堆叠NAND闪存颗粒，也可以用来生产DRAM内存颗粒。工厂初步投资15.6万亿韩元，预计到2021年总投资可达30万亿韩元，新工厂暂时名为P2 Project，距离旧工厂不远，报道称投资额达30万亿韩元（约合人民币1750亿元），但暂不清楚是初步投资还是总投资。

考虑到新工厂刚刚开工建设，1月份才开始铺设燃气管道，后续肯定还会有追加投资。

新工厂也同时具备内存、闪存生产能力，但是三星尚未决定具体先做哪一个，肯定是要看后续市场需求，比如原有工厂最初就打算生产内存。

据悉，新工厂计划在2019年第二季度末完工，因此三星最迟也要在今年年底决定是生产内存还是闪存，毕竟设备订购、制造、迁入也需要时间。

考虑到闪存供应缺口当前并不是太大，原有工厂也已经在大规模量产，而眼下内存市场依然处于高位，新工厂应该会以内存为主，自然会刺激内存进一步降价。

当然了，如果三星非要刻意控制市场供需，那就谁也没办法了，约谈也没用。