合肥长鑫即将试产DRAM 2019年底可单月产能2万片
2018-04-23 11:25 来源:中国闪存网
长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司CEO王宁国高调现身合肥集成电路重大项目发布会表示,合肥长鑫作为国内进展最快的存储器生产基地,日前12吋基地约300台研发设备已基本全部到位,装机后今年下半年将全力投片试生产。
王宁国透露,合肥DRAM一期已于2018年1月一厂厂房建设完成,并开始设备安装;2018年底将启动生产8GB DDR4工程样品;2019年底实现单月产能2万片;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。
未来,长鑫睿力 DRAM IDM 平台还将主要采购国产半导体设备与材料。
资料显示,长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目正加快建设,项目投产后预计将占据世界DRAM市场约8%的份额,填补国内DRAM市场的空白,合肥也因此将跨入世界级存储器制造重镇之列。
- DRAM
- 严禁商业机构或公司转载,违者必究;转载请注明来源“中国闪存网”!
头条阅读
相关新闻