传三星开始导入EUV设备，提升DRAM生产效率

传三星电子(Samsung Electronics)启动采用极紫外光(EUV)微影设备的DRAM生产研发，虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM，不过也有可能先推出17纳米制程产品。

韩媒News 1引述业界消息指出，三星正在进行EUV制程DRAM量产效率提升计划，三星高层表示，导入EUV设备的新一代DRAM研发进展顺利，但尚无确切量产时间。三星过去利用四重曝光(QPT)技术生产DRAM，然随着制程持续微缩，QPT技术面临极限，因此业界开始转向EUV设备，EUV光波长仅13.5纳米，远小于目前ArF制程的193纳米。

由于这是三星第一次导入EUV设备生产DRAM，良率如何引发各界关注。半导体相关人士指出，EUV设备在过去3年间已有相当程度进化，大部分半导体业者也都决定使用此设备，三星晶圆代工事业已导入EUV，英特尔(Intel)与台积电7纳米制程也计划采用EUV，SK海力士(SK Hynix)则预计2019年后，先从部分1z(10~15纳米)制程导入EUV。