円星开发台积电28纳米嵌入式快闪存储器制程IP

円星科技M31昨（17）日宣布，将在台积电)28纳米嵌入式快闪存储器制程技术开发SRAM Compiler IP，这些IP解决方案将能协助设计人员提升在行动装置、电源管理、物联网，车用电子等应用的SoC功耗表现，此系列硅智财预计于今年第3季提供客户设计整合使用。

M31董事长林孝平表示，随着网络传输频宽的不断加大，资料运算与储存需求日增。M31在台积电领先业界的28纳米嵌入式快闪存储器制程开发的IP，除了可以缩短设计周期，同时能降低SoC功耗并提高效能，可广泛应用于高速的资料处理、电源管理，物联网、车用电子，以及行动通讯等产品的设计上。

此次M31以台积电28纳米嵌入式快闪存储器制程技术开发的SRAM Compiler IP功能齐全，支援多种节能模式，使用者可依据不同操作状态，切换到当下最佳省电模式，来延长行动元件电池的使用时间，以提供客户更多元的产品运用。基于优异的技术特性，此系列IP可以完全整合在嵌入式快闪存储器制程平台上，预计今年第3季提供知名国际大厂采用。