加快突破芯片核心关键技术，上海发布重磅利好措施
2019-05-13 13:42 来源：科技新报
5月13日，上海市人民政府官网发布消息称，为进一步提升集成电路领域科技创新能力，加快突破集成电路领域核心关键技术，上海市科学技术委员会特发布2019年度“科技创新行动计划”集成电路领域项目指南。
该指南征集范围包含关键核心产品技术攻关与前瞻和共性技术研究两大专题。
关键核心产品技术攻关分为三个方向：
方向1.集成电路制造装备、材料及零部件
研究目标：研制具有国际竞争力的重大集成电路装备及关键零部件产品，突破和掌握集成电路制造高端装备系统设计、集成和应用关键技术，持续提升集成电路高端装备的零部件配套能力。
研究内容：（1）集成电路高端装备用关键零部件研发、验证与应用。（2）面向集成电路领域激光隐性切割技术研究与工艺验证。（3）硅片晶圆标识技术研究与验证（4）高能离子注入机关键技术研究与样机验证。（5）10nm铜化学机械抛光液及14nm大马士革工艺光刻胶去除剂研发。
方向2.集成电路制造关键技术
研究目标：突破集成电路制造工艺模块开发和工艺整合关键瓶颈，掌握具有自主知识产权的工艺技术，支撑先进工艺生产线建设和量产能力提升。
研究内容：大面阵、高动态CMOS图像传感器工艺研发提升。
方向3.核心芯片器件、模块及其应用
研究目标：与汽车等优势产业和应用需求紧密结合，持续推动核心产品的产业链上下协同创新，突破芯片、模块自主设计、制造和应用关键技术。
研究内容：（1）750V/250A以上功率等级IGBT芯片、模块开发及新能源汽车示范应用。（2）高能氢注入沟槽场中止IGBT工艺开发。（3）碳化硅功率器件、光导开关器件研发和应用。（4）车规级集成电路芯片及相应传感器、控制器研发并小批量试装验证。（5）面向第四代PCIe通讯的超高速时序整合芯片研发与产业化。（6）汽车级EEPROM研发与应用。
前瞻和共性技术研究专题，分为两个方向：
方向1.集成电路前沿理论与技术
研究目标：面向高性能非易失存储与低功耗计算的基础问题，探索新材料、新结构和新原理，实现超高速低功耗非易失存储与计算，完成原型器件验证。
研究内容：研究非易失存储中的载流子微观输运机制，探索其在存算一体化和神经形态计算等方面的应用。
方向2.集成电路新器件、新工艺、新方法研究
研究目标：面向未来电子学对更多功能集成智能微系统芯片的重大需求，突破材料级、器件级、系统级一体化微纳集成芯片技术，为下一代智能集成微系统芯片提供支撑。
研究内容：三维异质集成设计与制造关键技术研究及芯片验证。