三星3nm工艺领先台积电1年领先Intel 3年 未来进军1nm

在晶圆代工市场上，三星公司在14nm节点上多少还领先台积电一点时间，10nm节点开始落伍，7nm节点上则是台积电大获全胜，台积电甚至赢得了几乎所有7nm订单，三星只有自家Exynos及IBM的7nm订单，台积电也因此宣传自己在7nm节点上领先友商1年时间。

再往后呢？三星、台积电也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工艺了，其中在3nm节点上台积电也投资了200亿美元建厂，只不过他们并没有详细介绍过3nm工艺路线图及技术水平。

日前三星在美国的晶圆代工论坛上公布了自家的工艺路线图，FinFET工艺在7、6、5、4nm之后就要转向GAA环绕栅极晶体管工艺了，3nm节点开始使用第一代GAA工艺，官方称之为3GAE工艺。

基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

根据三星的路线图，他们2021年就要量产3GAE工艺了，这时候台积电也差不多要进入3nm节点了，不过台积电尚未明确3nm的技术细节，这意味着三星已经在GAA工艺上领先了。

根据IBS（International Business Strategies）公司CEO Handel Jones的说法，三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间，领先Intel公司2-3年时间，可以说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

但是三星的野心不止于此，目前尚未有公司宣布3nm之后的半导体工艺，目前大家都认为摩尔定律在3nm之后就要彻底失效，遭遇量子物理的考验，而三星则希望借助GAA工艺开发2nm工艺，未来甚至要实现1nm工艺。

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