DRAM产能增加，传SK海力士利川厂相隔11年再扩充封装产线

相隔11年SK海力士(SK Hynix)终于再传投资韩国封测产线。据韩媒Money Today报导，近期SK海力士展开产线调整，欲将利川厂区内的旧LCD产线转换为半导体封装及测试用途，同时也会将现有的部分后段制程产线移转至此，并添购机台设备进行扩产。前次SK海力士在韩国增设后段制程产线已是2007年。

业界消息表示，SK海力士增设产线的占地规模约3000坪，投资金额约5000亿韩元(约4.6亿美元)，完工后后段制程产线规模将比原本大2倍，启用时间暂订2019年上半。

SK海力士2017年开始将M14工厂二楼的部分NAND Flash产线转换为生产DRAM，工程还持续进行，未来每月DRAM的晶圆投片量可增加2万片。若搭配扩增的后段制程产线，届时将有更显著的产能效益。

韩国业界表示，2017年底SK海力士在重庆投资3000亿韩元增设后段制程产线，这次在韩国利川增设的封测产线应是针对DRAM需求而来。2018年以来DRAM市场持续处于供给短缺状态，这现象恐长期延续，因此让SK海力士暌违11年决定在韩国扩大封测产能。

此外，业界认为10纳米级先进制程使每片晶圆可生产的存储器芯片数量增加，带动封测需求量提高，而封装体积缩小的趋势令后段制程重要性提高，这些也都是SK海力士决定加强后段制程能力的因素。

利川厂区是SK海力士的主要生产基地，碍于韩国法令以无法取得新腹地，目前该厂区由SK海力士与现代Elevator(Hyundai Elevator)共享土地。这次SK海力士用来扩增封装产线的用地是以前现代电子出售LCD事业部给京东方时附带出租的土地，最近土地租约到期回收使用权，SK海力士才得以扩增产线。