美光:DRAM价格稳到年底,2018下半年开始导入1ynm技术
2018-04-25 00:00 来源:中国闪存市场
随着线上交易、无人驾驶、大数据、移动设备、物联网等领域对存储器需求强劲,存储器大厂美光科技全球制造资深副总裁艾伦(Wayne Allan)看好2018年存储器市况供需健康发展,尤其DRAM市况,价格可望持稳到今年底。
美光曾在2018财年Q2财报中表示,预估2018年全球DRAM产业bit供应量将增长20%左右,NAND Flash市场bit供应量会高于45%,而美光在DRAM领域没有新厂增产计划,主要是通过提升制程技术增加产出量,美光DRAM bit供应量增长符合行业水平。
至于NAND Flash产业,随着64层3D NAND生产比例的增加,预计美光2018年bit供应量会高于产业平均数,而且美光新加坡新建的Fab工厂已开始动工,未来主要满足下一代96层3D NAND技术的发展,以及市场需求的增长。
为了满足DRAM市场需求,以及提高在市场上的成本优势。Allan表示,美光在台湾有2个前端制造厂区及1个后段制造厂;其中桃园厂1x纳米预计2018下半年起逐渐放量,而1y纳米制程预计在年底导入,至于台中厂1x纳米制程已可投产,预计2019下半年提升到1z纳米。
他还强调,美光以台湾为DRAM卓越制造中心,持续聘雇高阶技术人才,预计未来2年将持续招募员工,2018年3月台湾员工总人数约6,800人,预计2018年底提高到7,300人,较2017年底员工数年增约800人,2019年预计将再增加350人。
此外,对于中国企业积极发展存储器产业,Allan表示,存储器的门槛难度高,尤其是在尖端技术上,很难在短期内就能赶上。有关中美贸易战,艾伦强调,正密切关注事件发展,会多方考量及评估风险,但目前还看不出有负面影响。
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