大基金和小米分别再投资半导体公司；科创板添集成电路成员
2020-02-29 17:58 来源：全球半导体观察
半导体联盟消息，大基金再投资一家半导体公司
消息显示，近期国家集成电路产业投资基金股份有限公司（以下简称“大基金”）再投资了一家半导体公司。
2月24日，兴森科技发布公告称，公司与科学城（广州）投资集团有限公司（以下简称“科学城集团”）、国家大基金、广州兴森众城企业管理合伙企业（有限合伙）（以下简称“兴森众城”）共同投资设立的合资公司已经取得了《营业执照》，完成了工商注册登记手续。
该合资公司为广州兴科半导体有限公司，注册资本为10亿元。根据此前公告，该合资公司计划总投资金额为16亿元，首期注册资本为10亿元。
其中国家大基金认缴出资额为2.4亿元，占注册资本的24％，兴森科技认缴出资4.1亿元，持股比例41%；科学城集团认缴出资2.5亿元，持股比例25%，兴森众城认缴出资1亿元，持股比例10%。
多个集成电路重大项目签约合肥
2月25日，合肥市举行重大产业项目集中（云）签约仪式，据了解，此次包括8个项目通过现场签约、云签约方式进行集中签约，总投资额达1020亿，主要集聚于集成电路、工业互联网、装备制造等高端前沿行业产业。
此次签约的8个项目中，涵盖多个集成电路产业项目，总投资超300亿元。其中12英寸模拟集成电路项目和中国电子战略合作项目投资额均超过100亿元、以及协鑫集成再生晶圆制造项目和鑫丰科技封测项目投资额均超过50亿元。
其中，新华社报道称此次签约的12英寸模拟集成电路项目为以色列高塔半导体12英寸模拟集成电路项目；协鑫集成再生晶圆制造项目则主要建设5条12英寸生产线及1条8英寸生产线，达产后可形成年产360万片再生晶圆的生产能力；鑫丰科技封测项目拟建设存储器封测一期项目，项目建成后可形成年加工存储器封测1亿颗的生产能力；中国电子将在合肥市经开区投资超百亿元建设集成电路产业链配套项目。
小米近期投资四家半导体公司
湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）（以下简称“小米产业基金”）自2017年成立以来便开始频繁投资半导体企业，如西安智多晶微电子有限公司、珠海市一微半导体有限公司、恒玄科技（上海）股份有限公司、安凯（广州）微电子技术有限公司、无锡市好达电子有限公司等。
近期，小米再次投资了四家半导体公司，分别为苏州速通半导体科技有限公司（简称“速通半导体”）、北京昂瑞微电子技术有限公司（以下简称“昂瑞微电子”）、以及广西芯百特微电子有限公司（以下简称“芯百特微电子”）、上海灵动微电子股份有限公司（以下简称“灵动微电子”），上述公司涉及Wi-Fi 6芯片、射频芯片、MCU等领域。
速通半导体和昂瑞微电子均于近日宣布完成战略融资，并新增小米产业基金成为新股东，其中小米产业基金对昂瑞微电子认缴金额310.71万元，持股比例为6.98%；芯百特微电子于1月21日新增小米产业基金为股东，认缴出资额56.03405万元，持股比例为4.33%；灵动微电子亦于近日发生工商变更，其注册资本由此前的4728万元新增至5668万元，同时新增小米产业基金管理合伙人王晓波为董事。
紫晶存储、华润微正式登陆科创板
近日，广东紫晶信息存储技术股份有限公司（以下简称“紫晶存储”）与华润微电子有限公司（以下简称“华润微”）的A股股票分别于2月26日、2月27日在上海证券交易所科创板上市。
资料显示，紫晶存储成立于2010年，是一家光存储科技企业，主要开展蓝光数据存储系统核心技术的研发、设计、开发，提供基于蓝光数据存储系统核心技术的光存储介质、光存储设备和解决方案的生产、销售和服务。其本次发行股票数量为4759.61万股，发行价格为21.49元/股，发行后市盈率39.80倍，2月26日首日上市开盘价85.00元，上涨295.53%。
华润微是华润集团旗下半导体投资运营平台，拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。华润微是科创板首家注册生效的红筹企业及首家引入“绿鞋机制”的企业，发行价格12.8元/股，2月27日首日上市开盘价50.00元，涨幅290.63%。
150亿元半导体项目签约无锡
近日，总投资150亿元的无锡先导集成电路装备与材料产业园签约仪式顺利举行。仪式上作为产业园的首个落户项目，总投资37亿元的吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目也正式签约。
据无锡高新区报道，无锡先导集成电路装备与材料产业园项目规划占地700亩，总投资150亿元，拟分3期进行建设。整个产业园以总部大楼、特色IC设计孵化器、专用装备基地、高端材料区、特色工艺区进行布局，计划5年后形成国内领先的半导体装备与核心零部件材料产业集群，最终形成具有产业特色的集成电路特色装备与材料的产业生态，填补无锡地区的产业链空白。
而吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目为首个落户无锡先导集成电路装备与材料产业园的项目，主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。项目总投资约人民币37亿元，计划用地50亩，全部建成投产后将打通从材料到芯片到器件的整个产业链。