博通助阵 台积电5纳米Q2量产

半导体联盟消息，晶圆代工龙头台积电3日宣布与全球IC设计龙头博通（Broadcom）携手合作强化CoWoS（基板上晶圆上芯片封装）平台，支援业界首创且最大的两倍光罩尺寸（2X reticle size）中介层，面积约1,700平方毫米，将可支援台积电即将量产的5纳米先进制程。

台积电完成5纳米晶圆代工到后段封装测试的一条龙制程，并确保今年成为全球唯一量产5纳米的半导体厂。

台积电已准备好第二季5纳米晶圆代工制程进入量产，苹果及华为海思是主要两大客户，包括高通、博通、联发科、超微等大客户后续也将开始展开5纳米芯片设计定案并导入量产。为了建立完整生产链，台积电在先进封装技术上再突破，包括建立整合扇出型（InFO）及CoWoS等封测产能支援，系统整合芯片（SoIC）及晶圆堆栈晶圆（WoW）等3D IC封装制程预期2021年之后进入量产。

台积电此次与博通合作的新世代CoWoS封装技术，延伸了5纳米价值链。

其中，新世代CoWoS中介层由两张全幅光罩拼接构成，能够大幅提升运算能力，藉由更多的系统单晶片（SoC）来支援先进的高效能运算系统，并且也准备就绪以支援台积电下一世代的5纳米制程技术。

此项新世代CoWoS技术能够容纳多个逻辑系统单晶片、以及多达6个高频宽存储器（HBM）立方体，提供高达96GB的存储器容量。此外，此技术提供每秒高达2.7兆位元的频宽，相较于台积电2016年推出的CoWoS解决方案，速度增快2.7倍。CoWoS解决方案具备支援更高存储器容量与频宽的优势，非常适用于存储器密集型的处理工作，例如深度学习、5G网络、具有节能效益的数据中心等。

在台积电与博通合作的CoWoS平台之中，博通定义了复杂的上层芯片、中介层、以及HBM结构，台积电则是开发坚实的生产制程来充分提升良率与效能，以满足两倍光罩尺寸中介层带来的特有挑战。透过数个世代以来开发CoWoS平台的经验，台积电创新开发出独特的光罩接合制程，能够将CoWoS平台扩充超过单一光罩尺寸的整合面积，并将此强化的成果导入量产。

台积电研究发展组织系统整合技术副总经理余振华表示，自从CoWoS平台于2012年问世以来，台积电在研发上的持续付出与努力，将CoWoS中介层的尺寸加倍，展现持续创新的成果。

台积电与博通在CoWoS上的合作是一个绝佳的范例，透过与客户紧密合作来提供更优异的系统级高效能运算表现。