首页 > 资讯 > 正文

存储市场增长减缓,SK海力士加强核心技术竞争力

2019-03-25 09:14 来源:中国存储网

在经历过去两年存储芯片产业的繁荣之后,预计全球经济面临的不确定因素将增加,市场对芯片需求的增长幅度也有所趋缓,SK海力士表示将专注于加强芯片制造的基本竞争力,提高芯片生产良率以降低产品成本。

之前,三星预警芯片业务将面临艰难的一年,美光在最新财报中也表示,决定减少晶圆投片量以及减少资本支出,平衡市场供需。在第71届股东大会上,SK海力士CEO Lee Seok-hee认为,在市场环境恶化的情况下,竞争力来自技术实力,公司将通过提高纳米技术的良率和削减成本来加强基础的优势。

在DRAM技术上,SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货,还成功开发出1ynm 16Gb DDR5 DRAM,支持5200Mbps的数据传输速率,比上一代的3200Mbps快约60%,每秒可处理41.6GB数据或11个全高清视频文件(每个3.7GB),将于2020年大规模量产。

另外,SK海力士在2018年底提倡优秀的工程师即使在法定退休年龄60岁之后仍能继续工作,鼓励高技能工程师充分利用他们的专业知识和能力,确保公司核心竞争力。

SK海力士提高DRAM技术能力,也是感受到来自竞争对手的压力。三星已宣布在平泽厂规模量产12GB LPDDR4X,2019下半年将增加3倍的供应量,还率先进入1znm技术,下半年量产8Gb DDR4,生产率可提高20%以上。美光也将在2019下半年持续增加1ynm产量,同时送样下一代1znm新技术产品。

对于后续产业发展,SK海力士CEO Lee Seok-hee表示,尽管芯片产业后续发展引发市场担忧和关注,作为全球第二大DRAM提供商仍在京畿道龙仁市砸下120兆韩元的赌注。虽然全球经济动荡,芯片相关产业相对低迷,是目前的现状,但SK海力士认为供需将在2019下半年得到平衡,并看好后续未来10年的发展。

之前,SK海力士公布了未来10年的投资计划,曾表示要在韩国龙仁市投资120兆韩元参与建设半导体工业区的项目,自2022年开始着手建设4个半导体工厂(FAB),除了利川,以后龙仁市将成SK海力士生产DRAM和相关半导体的重要基地,而清州是NAND Flash的核心生产基地。

  • 存储市场 SK海力士
  • 严禁商业机构或公司转载,违者必究;转载请注明来源“中国闪存网”!