群联支持美光64层3D NAND 准备96层3D NAND研发

群联宣布，随着智能型手机搭载NAND Flash容量已进入128GB，旗舰机型更搭载256GB，群联eMMC/eMCP及UFS控制IC将全系列支持美光64层3D NAND，同时准备次世代96层3D NAND技术研发，不但协助客户在智能移动设备市场扩大产品战线，亦为客户卡位车联网商机作好准备。

2018年全球移动通讯大会（MWC）正式登场，应用于智能型手机的人工智能（AI）运算、虚拟实境（VR）应用、身份识别、4K HDR影片录制及环绕音场等创新功能，成为各大手机厂发布新机的亮点。为了能满足这些多媒体功能存储需求，今年度的智能型手机内嵌式NAND Flash容量全面跃升至128GB，旗舰型机种甚至拉高至256GB。

群联指出，从各国际品牌手机厂2018年将推出的旗舰机种来看，非苹阵营的国际智能新机内嵌式eMMC/eMCP的存储容量规格提升至128GB，至于全球前2大智能型手机厂主攻的旗舰新机，则不约而同皆搭载256GB的UFS内嵌式存储，除了为2018年智能型新机大容量存储规格赛正式鸣枪开跑，亦同步宣告64层甚至更高层数的3D NAND技术正式接棒成为存储的主流规格。

群联表示，从NAND Flash技术演进来看，当容量需求快速增加，甚至是倍增之时，2D NAND的平面生产技术已不能满足终端应用之需求。由于2D NAND的限缩每个存储单位、同时增加同一层储存密度的微缩技术，已逐渐接近物理极限，因此导致单颗芯片最高容量大多停留在128Gb水准。至于3D NAND技术透过垂直立体堆迭储存单元的方式，突破容量上限的瓶颈，其最高容量将可倍增至256Gb，并可提升读写资讯效能。

依据目前各国际大厂的3D NAND制程演进来看，群联看好64层3D NAND将为今年主流技术，因此除了领先同业推出的可支持该制程技术的高速UFS控制IC外，包括热卖的eMMC/eMCP等全系列控制IC，皆同步支持东芝及美光的64层3D NAND。另外，群联也会进一步支持次世代的96层3D NAND先进制程技术，相关控制IC有望在年底接棒推出。