小米发布GaN充电器 第三代半导体材料在消费电子领域加速渗透

日前，国内手机厂商小米发布GaN（氮化镓）充电器，业界再次将目光投向第三代半导体。在小米新品直播发布会上，小米发布的一款采用GaN材料的充电器——“小米GaN充电器Type-C 65W”（以下简称“小米GaN充电器”）成为发布会的亮点之一。

据了解，GaN是第三代半导体材料的代表之一，广泛应用于航天和军事等领域，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等特性，用于充电器上可使充电器实现小体积和轻重量，在充电功率转换上相比同功率充电器（非GaN）更具优势。

据介绍，小米GaN充电器最高支持65W快速充电，搭配小米10 Pro可实现50W快充，还可为笔记本充电。小米方面表示，小米GaN充电器在GaN的加持下，体积比小米笔记本标配适配器小约48%，充电效率方面，45分钟可使小米10 Pro的电量从0%充至100%。

小米的合作伙伴纳微半导体（Navitas Semiconductor Inc）发文表示，小米GaN充电器采用纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，它们针对高频、软开关拓扑进行了优化，通过FET、驱动器和逻辑的单片集成提供了一个非常小、非常快、易于使用的“数字输入，电源输出”高性能电源转换模块。

资料显示，纳微半导体成立于2014年，总部位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，是一家GaN Power IC公司，自成立以来就专注于GaN材料的技术运用和创新。纳微半导体表示GaNFast功率IC的运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍。

据纳微半导体披露，小米在早些时候已投资了纳微半导体，为此次合作奠定了基础。小米的投资策略是通过资金注入，确定产业链上下游合作，同时兼顾投资和业务的双重收益。纳微半导体表示，通过这次合作公司也得以拓宽销售渠道。

事实上，目前国内已经有不少企业布局以GaN、SiC（碳化硅）为代表的第三代半导体产业，包括华为、三安光电、耐威科技、海特高新、华润微、士兰微等。从产业链角度看，GaN产业链包括上游的材料（衬底和外延片）、中游的器件和模组、下游的系统和应用，而目前国内在各环节均已有企业涉足。

在GaN衬底方面，国内有中稼半导体、中晶半导体、纳维科技、镓特半导体等企业；在GaN外延片方面，国内有晶湛半导体、聚能晶源、世纪金光、聚力成半导体等企业；在GaN制造方面，国内有海威华芯、三安集成、士兰微等；能讯高能半导体、能华微电子、英诺赛科、大连芯冠科技、江苏华功半导体等企业则为GaN IDM企业。

至于应用方面，GaN此前更多地应用于航天及军事等领域，5G时代到来将为GaN带来巨大的市场机遇，如今由于小米等终端企业发布GaN充电器，引起了市场关注，未来将有望在更多消费电子产品看到GaN的身影。