TrendForce：智能手机出货畅旺，2016年第四季全球行动式内存产值季增20%

集邦咨询（DRAMeXchange）最新调查显示，在三星Note 7爆炸影响下，消费者购机需求纷纷转向其他手机品牌，苹果、华为与LG等品牌出货明显提升，让早已供不应求的DRAM市场供货更为吃紧，带动价格飙涨，使2016年第四季全球行动式内存产值高达55.05亿美元，季成长约20%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，以三大DRAM厂2016年第四季的行动式内存营收市占来看，三星半导体依然囊括过半的市占率，来到61.3%，SK海力士居次，为24.2%，而美光半导体为12.3%，三大主要DRAM厂的占比来到97.8%。以整体营收作计算，2016年第四季全球行动式内存营收就占了DRAM总营收的44.2%。

从三大DRAM厂的竞争能力分析，三星仍是行动式内存的技术领先者，除了率先推出新规格LPDDR4x外，2017年制程亦从20纳米逐步转向18纳米，一方面降低成本，更可与竞争对手维持一定程度的技术差距，让三星半导体的获利表现有望进一步提升。

SK海力士方面，由于21纳米制程良率在2016年第四季已较为稳定，2017年的目标便是扩大21纳米的产出占比，旗下M14厂也有扩大产能的规划。SK海力士期许今年在产出与良率双双提升下，能满足客户的需求。此外，SK海力士也规划于今年下半导入次世代18纳米制程的产品，希望尽速实现量产。

美光集团目前行动式内存已逐步转向20纳米制程为主，如台湾美光晶圆科技（原华亚科）已全数转进20纳米制程。台湾美光内存也正式于一月将18纳米制程导入量产，目前良率稳定提升中，希望今年年底该厂能有90%皆为18纳米制程的产品。

台厂部分，南亚科由于行动式内存的产出比重提升，在涨价的帮助下，营收市占从1.3%提升至1.5%，营收成长来到41.3%，为各厂最高。目前南亚科厂内正进行20纳米制程的产线转换工程，未来将能够对营收有进一步的贡献。

华邦电去年第四季营收市占来到0.7%，营收方面小幅成长6%，其中46纳米制程的行动式内存占比已经来到72%，华邦新制程38纳米有机会于今年第三季导入生产，优先利用在利基型内存与行动式内存上。

从市场面分析，由于DRAM原厂产能的扩张效应须待2017下半年陆续浮现，整体上半年的供需依然维持吃紧。吴雅婷指出，2017年搭载6GB内存的高端智能手机已是各厂既定的方针，中端手机也会来到3／4GB的搭载量，预估2017年智能手机内存的需求位成长仍有30%以上，DRAM产业持续获利的状况将维持一整年。