2017年DRAM整体产值年增76%，估2018年成长率将逾3成

来自集邦咨询（DRAMeXchange）调查显示，2017年第四季的DRAM产业营收表现再创历史新高。从价格方面来看，受到行动式内存接棒涨价所带动，以及智能手机旗舰机种的旺季效应，以三星为首的DRAM厂拉抬行动式内存报价，带动行动式内存在第四季有5-20%不等的涨幅(取决于不同的容量)，而其余各类DRAM产品合约价亦普遍较前季再上涨约5-10%。2017年第四季DRAM产值较上季再成长14.2%，全年产值成长率达76%。

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，展望2018年第一季，PC-OEM厂已陆续议定合约价格，就一线大厂订价来看，PC DRAM均价已来到33美元，较上一季平均涨幅约达5%；以北美四大网络服务提供业者为首的数据中心拉货动能仍强，带动本季服务器内存价格上涨3-5%。至于智能型手机第一季买气较原先预期低迷，加上NAND跌价与中国发改委因素影响，行动式内存价格涨幅较先前收敛，平均价格小幅上涨约3%。从整体产值来看，DRAMeXchange预估，2018年DRAM产业产值将成长超过3成，规模达960亿美元。

观察各厂2017第四季营收表现，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，营收达101亿美元，较上季成长14.5%，再度创下历史新高； SK海力士营收冲至63亿美元，较前季成长14.1%，两大韩厂的市占率各为46.0%与28.7%，合计已囊括74.7%的市占率；美光集团仍旧维持第三，营收达46亿美元，季增13.4%，市占20.8%。

受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益，三星第四季度营业利益率再度改写历史新高，由62%上升至64%；SK海力士亦从第三季度的56%再提升至59%；美光则从50%拉升至53%。展望2018年第一季，受惠于DRAM价格持续上涨与制程转进所带来的成本效益，三大厂在营收表现上可望再创新猷，各家获利率也可望进一步提升。

从技术面来看，三星今年的目标除了持续提升18nm制程的产出比重外，为期近两年DRAM涨价带动DRAM供货商的高获利，以及中国潜在竞争者的加入，也让三星决定展开新一波的扩产计划，将原本规划做NAND Flash的平泽厂二楼空间投入生产DRAM，一方面因应DRAM供给吃紧状况，另一方面藉由减少未来NAND Flash的投片量，来抑制NAND Flash的跌价速度，对此，DRAMeXchange指出，此举对整体内存产业而言属健康发展而并非坏事。

此外，SK海力士去年底开始导入18nm的生产，然而，进入1Xnm世代制程难度高、转换不易，SK海力士目前仍致力于提升其18nm良率；扩厂计划则维持不变，SK海力士最快要到2019年才会在中国无锡新建的第二座12英寸厂看到产能开出。美光在技术布局方面，台湾美光内存(原瑞晶) 17nm目前产出比重已超过9成，预计今年第二季初将完成转换，而台湾美光晶圆科技(原华亚科)计划今年中开始进行20nm往17nm的转换，预计今年年底将可望有一半产能转往17nm生产，并于明年上半年全数导入。

台系厂商部分，南亚科第四季营收较前一季大幅成长26.9%，主要归功于20nm转换良率超乎预期，以及价格持续走扬带动。20nm的成本效益拉升营业利益率至38.9%，较前一季成长7个百分点。展望未来，由于该公司20nm良率继续提升，将会持续改善其成本结构，增加获利空间。

力晶科技方面，2017年第四季DRAM营收季持平，主要还是替晶豪科、爱普等IC设计业者代工的获利较佳，力晶本身DRAM产能转向更高毛利的产品；华邦电方面DRAM营收则下滑2.2%，主要因为DRAM产能受到NOR Flash产能压缩所导致。