紫光国芯:DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。

同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。

针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。

1月26日紫光国芯在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶圆的制造能力，公司会考虑与其合作。