南亚科李培瑛：已成功自主研发10纳米级DRAM新型存储器技术

南亚科总经理李培瑛近日宣布，已完成自主研发10纳米级DRAM技术。

针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向，李培瑛则是表示，南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，未来进入10纳米制程技术也将采自主开发技术为主，不再向合作伙伴美光（Micron）申请授权。这样不仅减少授权费用支出，也能针对自行研发的技术适时优化，以提升至最佳生产效率。

预估，第一代10纳米级前导产品包括8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主研发的制程及产品技术平台上，预计2020下半年陆续进入产品试产。至于，第2代10纳米级生产技术目前正在研发阶段，预计2022年开始导入试产。

对于2020年的展望，李培英表示，在库存持续去化，供需逐步稳定的情况下，营运预计将会一季比一季好，对全年保持乐观的看法。

南亚科总经理李培瑛指出，2020年DRAM的市况，在需求方面，因为服务器需求稳定成长，手机搭载DRAM的数量增加，再加上个人电脑出货稳定，消费型电子产品需求量也稳定成长的情况下，需求面持续看到改善。

供给面方面，各大厂因为在2019年资本支出保守，使得现阶段没有新产能开出，供给有限的情况下，使得供需情况更加健康。预计，2020年DRAM市场需求将成长15%至20%，供给成长10%至15%，而南亚科2020年位元出货将成长约15%。

李培瑛还强调，就目前的情况看来，DRAM市场包括现货价与合约价的平均价格都已经止跌回稳，除了三星跳电事件对短期现货价有波动，长期来看就是持稳，这也使得南亚科2020年第1季毛利率将不会再下滑。

整体来说，虽然2019年第4季较第3季的营收有所下滑，但是优于2018年的第4季。而未来的2020年第1季预估会比2019年第4季还有成长，第2季也将会持续提升，加上预计导入10纳米级新制程，资本支出上半年仍较少，下半年起预计会有增加，实际数字有待董事会最后决定。