北美数据中心需求支撑，Server DRAM涨势延续

来自集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2018年第一季度在供需仍然略为吃紧的状况下，Server DRAM价格将持续上扬；同时由于2666Mhz/2400Mhz正式取代2133Mhz的产出，高带宽服务器模组将会逐渐成为市场主流。

自去年第三季度起，Server DRAM随着北美数据中心建案而供货吃紧进而带动整体涨幅，备货超出预期。展望今年上半年，因DRAM制造商对产能计划趋于保守，实质新产能开出时间将会递延至下半年，导致上半年供给受限，整体市场供给仍吃紧，预期至少今年上半年Server DRAM涨价格局将延续。

从目前Server DRAM报价来看，除长期协议(Long-Term Agreement)客户已谈定报价外，在DDR4 32GB RDIMM价格皆已协议在300美元水平，服务器二线代工厂将会锁定在310美元大关，相较于去年第四季度，平均季涨幅将维持3-5%。

观察各厂Server DRAM产出制程，三星今年的重点将会加速提高18纳米制程的投片，同时SK海力士与美光阵营也分别会开出在18与17纳米的制程，进而提升自家高容量服务器模组的比重。

若从竞争格局来看，制程领先的三星，将会在今年第一季度大幅转进至18纳米的投片量，18纳米制程将占自家产能逾半的比重，大幅领先其他DRAM供货商；然而，SK海力士与美光则会随着良率改善而有效率的做产能分配，预期今年底1x纳米制程会占两家公司整体产能的三成比重。

此外，大多数服务器厂皆已陆续开始验证DRAM原厂先进制程的样品，DRAMeXchange预估，第二季转进至17与18纳米制程的产量会较具规模，并冀望第四季前17/18纳米制程的产品渗透率达到近四成水平，可预期的是应用于服务器的高容量模组如32GB DDR4 2666Mhz RDIMM渗透率将提升。