中国发改委调查存储器价格添变数，行动式内存恐首当其冲

集邦咨询（DRAMeXchange）指出，目前正是DRAM与NAND Flash等各类别存储产品议价的关键时期，但由于近期中国国家发改委约谈三星半导体，可能将对存储器价格走势带来变量，预期行动式内存涨幅将较为收敛。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，从每单位容量来看，2017年DRAM价格上涨超过四成，同期NAND的价格上涨幅度也逼近四成水位。该事件的起因为中国智能手机厂商无法承受内存持续涨价，因此向中国发改委投诉，希望能够抑制后续以三星为首的内存厂商价格涨势，并且清查其是否有垄断的疑虑。根据DRAMeXchange资料，三星去年第三季在全球DRAM产值的市占率为45.8%，为全球第一；NAND产值的市占率约为37.2%，同样是产业龙头。

就DRAM市场不同的产品类别来看，虽然中国地区的PC以及服务器厂商同样对价格上扬感到不满，但由于产品本身的获利还能够维持，在不积极增加单机搭载内存容量的策略之下，还可以有效控管成本。尤其以目前最为缺货的服务器内存而言，自去年第三季度起，随着北美数据中心建案导致供货吃紧进而带动涨幅，整体备货动能超出预期。

展望今年上半年，因原厂对产能计划趋于保守，实质新产能开出将落于下半年，导致上半年供给仍然受限，整体市场仍然吃紧；虽然市场传出中国发改委介入价格制定的消息，但对于价格涨幅并不会有太大的影响，预期在今年上半年服务器内存价格仍然会延续涨价的走势。

不过，今年第一季行动式内存价格可能会有较明显影响。在中国智能手机出货疲弱的大环境影响下，虽然整体DRAM仍呈现供货吃紧的状态，但以三星为首、率先调整对中国智能手机厂商的报价，行动式内存的涨幅已较先前收敛，从原先的5%的季成长缩小为约3%。

由于中国在近年内已成为内存产出的最大出海口，不管是内陆或是外销，透过中国所购买的内存比重持续增加，因此官方的介入恐怕对价格产生实际的变化。以三星半导体为例，在去年一整个年度，中国地区贡献内存事业处的营收就已超过五成，因此对中国政策的改变维持很高的关注程度。

就三星本身而言，所有产品类别中，DRAM平均销售单价(per Gb)以行动式内存产品最低，尤其明显低于服务器内存与绘图用内存，发改委的介入使得三星无法大幅度调涨行动式内存价格，在获利空间的考虑下，三星以及其他的DRAM供货商会更快速地将产能移转到获利较高的产品出货，使得后续行动式内存的出货比重进一步下修的可能性高。

除此之外，若相关行政力量的影响持续存在，三星为抑制DRAM价格的涨幅，不排除可能提前其DRAM扩产计划。三星关注度最大的平泽厂二楼，原先预定在今年下半年才会大幅投片，但为了减缓价格涨势，三星可能提前其扩厂速度，不过截至目前，三星尚未做出最终决定。

另外，以NAND Flash而言，不论在SSD、eMMC/UFS，还是晶圆/颗粒上，由于本身市场就普遍预期价格逐渐下滑，并且三星在上述应用市场的影响力不如在DRAM强势，所以发改委事件对于NAND的报价并没有显著的影响。DRAMeXchange指出，2018年上半年需求不如预期，但3D产能仍不断开出，市况将转变成供过于求，导致NAND Flash价格持续走跌的机率升高。